Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1520
Title: Проектирование IGBT- прибора высокого быстродействия
Other Titles: Design of high-speed IGBT device
Authors: Ловшенко, И. Ю.
Стемпицкий, В. Р.
Турцевич, А. С.
Шелибак, И.
Keywords: доклады БГУИР;биполярный транзистор с изолированным затвором;IGBT-структура;конструкция;технология изготовления;динамические характеристики;оптимизация
Issue Date: 2013
Publisher: БГУИР
Citation: Ловшенко, И. Ю. Проектирование IGBT- прибора высокого быстродействия / И. Ю. Ловшенко [и др.] // Доклады БГУИР. - 2013. - № 4 (74). - С. 10 - 15.
Abstract: Представлены результаты исследования влияния технологических параметров формирования структуры IGBT-прибора на его динамические характеристики. Показано, что быстродействие (время включения и выключения) структуры существенно определяется технологическими параметрами формирования как биполярного транзистора, так и МОП-транзистора – составляющих элементов IGBT-прибора. Показано, что на быстродействие прибора не влияет уровень концентрации примеси в эмиттере биполярного транзистора и проявляется лишь небольшое влияние степени легирования базы. В большей мере динамические характеристики IGBT-структуры определяются дозой и энергией ионов при имплантационном подлегировании области канала МОП-транзистора (при увеличении дозы в 2 раза время включения и выключения снижаются почти на 20% каждое, а при увеличении энергии ионов на 20 % длительность выходного импульса увеличивается почти на 25 %).
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1520
Appears in Collections:№4 (74)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Lovshenko_Proyektirovaniye.PDF598.53 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.