Влияние гамма-излучения на элементы аналоговых интегральных схем

Abstract

Рассмотрено влияние гамма-излучения Co60 на характеристики элементов аналоговых интегральных схем (ИС): входную вольтамперную характеристику (ВАХ) в схеме с общей базой (ОБ), выходную ВАХ в схеме общим эмиттером (ОЭ), зависимость статического коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ (β) от коллекторного тока (IC) для n-p-n- и p-n-p-транзисторов, выходную ВАХ полевого транзистора с p-n-переходом и каналом p-типа (p-ПТП) в схеме с общим истоком (ОИ). Установлено, что уменьшение напряжения отсечки p-ПТП не превышает 3 %, а максимального тока стока – менее 5 % при поглощенной дозе D = 5,345 Мрад. Максимум зависимости β = f(IC) n-p-n- и p-n-p-транзисторов уменьшается и сдвигается в область больших коллекторных токов при D < 0,845 Мрад. При поглощенной дозе, превышающей 0,845 Мрад, максимум β n-p-n-транзисторов слабо снижается, а для p- n-p-транзисторов – немного увеличивается (частично восстанавливается).