| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Коршунов, Ф. П. | - |
| dc.contributor.author | Богатырев, Ю. В. | - |
| dc.contributor.author | Белоус, А. И. | - |
| dc.contributor.author | Шведов, С. В. | - |
| dc.contributor.author | Малышев, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Ластовский, С. Б. | - |
| dc.contributor.author | Карась, В. И. | - |
| dc.contributor.author | Гуринович, В. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2014-12-04T15:38:58Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-12T11:44:35Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-04T15:38:58Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-12T11:44:35Z | - |
| dc.date.issued | 2011 | - |
| dc.identifier.citation | Радиационные эффекты в элементах субмикронных КМОП интегральных схем = Radiation еffects in elements of submicron CMOS integrated circuits / Ф. П. Коршунов [и др.] // Доклады БГУИР. – 2011. – № 4 (58). – С. 43–48. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1960 | - |
| dc.description.abstract | Рассмотрено влияние гамма-излучения Со60 на параметры тестовых металл-окисел-полупроводник (МОП)-структур, а также n- и р-канальных МОП-транзисторов (МОПТ): элементов субмикронных (0,35 мкм) КМОП интегральных схем. Установлено, что при облучении происходит значительный сдвиг и уменьшение наклона СV-характеристик тестовых МОП-конденсаторов с толстым окислом (dox = 0,52 мкм); СV-характеристики МОП-структур с dox = 7 нм при облучении дозой D = 104 Гр практически не изменились. Сток-затворные вольтамперные характеристики (ВАХ) n-МОПТ «классической» конструкции при облучении изменились более значительно по токам утечки, чем ВАХ n-МОПТ «кольцевой» конструкции. ВАХ «классических» р-МОПТ при облучении изменились за счет небольшого сдвига в сторону отрицательных напряжений затвора, однако токи утечки р-МОПТ возросли незначительно. Обнаружена корреляция токов утечки «классических» n-МОПТ и токов через паразитный n-МОПТ при облучении в пассивном и активном электрическом режиме. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | МОП-структуры | ru_RU |
| dc.subject | n- и p-канальные МОП транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | элементы КМОП интегральных схем | ru_RU |
| dc.subject | гамма-излучение | ru_RU |
| dc.subject | CV-характеристики | ru_RU |
| dc.subject | вольтамперные характеристики | ru_RU |
| dc.title | Радиационные эффекты в элементах субмикронных КМОП интегральных схем | ru_RU |
| dc.title.alternative | Radiation еffects in elements of submicron CMOS integrated circuits | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | №4 (58)
|
