Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1960
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКоршунов, Ф. П.-
dc.contributor.authorБогатырев, Ю. В.-
dc.contributor.authorБелоус, А. И.-
dc.contributor.authorШведов, С. В.-
dc.contributor.authorМалышев, В. С.-
dc.contributor.authorЛастовский, С. Б.-
dc.contributor.authorКарась, В. И.-
dc.contributor.authorГуринович, В. А.-
dc.date.accessioned2014-12-04T15:38:58Z-
dc.date.accessioned2017-07-12T11:44:35Z-
dc.date.available2014-12-04T15:38:58Z-
dc.date.available2017-07-12T11:44:35Z-
dc.date.issued2011-
dc.identifier.citationРадиационные эффекты в элементах субмикронных КМОП интегральных схем / Ф. П. Коршунов [и др.] // Доклады БГУИР. - 2011. - № 4 (58). - С. 43 - 48.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1960-
dc.description.abstractРассмотрено влияние гамма-излучения Со60 на параметры тестовых металл-окисел- полупроводник (МОП)-структур, а также n- и р-канальных МОП-транзисторов (МОПТ): элементов субмикронных (0,35 мкм) КМОП интегральных схем. Установлено, что при облучении происходит значительный сдвиг и уменьшение наклона СV-характеристик тестовых МОП-конденсаторов с толстым окислом (dox = 0,52 мкм); СV-характеристики МОП- структур с dox = 7 нм при облучении дозой D = 104 Гр практически не изменились. Сток- затворные вольтамперные характеристики (ВАХ) n-МОПТ «классической» конструкции при облучении изменились более значительно по токам утечки, чем ВАХ n-МОПТ «кольцевой» конструкции. ВАХ «классических» р-МОПТ при облучении изменились за счет небольшого сдвига в сторону отрицательных напряжений затвора, однако токи утечки р- МОПТ возросли незначительно. Обнаружена корреляция токов утечки «классических» n- МОПТ и токов через паразитный n-МОПТ при облучении в пассивном и активном электрическом режиме.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectМОП-структурыru_RU
dc.subjectn- и р-канальные МОП-транзисторыru_RU
dc.subjectэлементы КМОП интегральных схемru_RU
dc.subjectгамма-излучениеru_RU
dc.subjectСV-характеристикиru_RU
dc.subjectвольтамперные характеристикиru_RU
dc.titleРадиационные эффекты в элементах субмикронных КМОП интегральных схемru_RU
dc.title.alternativeRadiation еffects in elements of submicron CMOS integrated circuitsru_RU
dc.typeArticleru_RU
Appears in Collections:№4 (58)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Korshunov_Radiatsionnyye.PDF473.02 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.