Люминесценция p–i–n-структур на основе GaN, выращенных на сапфировой подложке

Ржеуцкий, Н. В.; Гурский, А. Л.; Луценко, Е. В.; Павловский, В. Н.; Яблонский, Г. П.; Стогний, А. И.; Калиш, Х.; Янсен, Р.; Хойкен, М.; Шинеллер, Б.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/2012

Title:	Люминесценция p–i–n-структур на основе GaN, выращенных на сапфировой подложке
Other Titles:	Luminescence of GaN-based p–i–n-structures grown on sapphire substrate
Authors:	Ржеуцкий, Н. В. Гурский, А. Л. Луценко, Е. В. Павловский, В. Н. Яблонский, Г. П. Стогний, А. И. Калиш, Х. Янсен, Р. Хойкен, М. Шинеллер, Б.
Keywords:	доклады БГУИР;фотолюминесценция;GaN;легирование;Mg;спектр;MOVPE;p–i–n-структура
Issue Date:	2011
Publisher:	БГУИР
Citation:	Люминесценция p–i–n-структур на основе GaN, выращенных на сапфировой подложке = Luminescence of GaN-based p–i–n-structures grown on sapphire substrate / Н. В. Ржеуцкий [и др.] // Доклады БГУИР. – 2011. – № 6 (60). – С. 19–25.
Abstract:	Приведены результаты исследования оптических свойств серии образцов p–i–n-структур на основе нитрида галлия, различающихся условиями выращивания покровного слоя р-типа. Показано, что спектроскопия фотолюминесценции может применяться как экспрессный метод для сравнения слоев нитрида галлия, легированных магнием и выращенных при одинаковом соотношении Mg/Ga, по величине концентрации носителей заряда, а также позволяет судить о распределении примесей и дефектных центров по глубине структуры. Полученная информация способствует применению спектроскопии фотолюминесценции как экспрессного метода, используемого для оптимизации роста структур на основе GaN.
URI:	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/2012
Appears in Collections:	№6 (60)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Rzheutskiy_Lyuminestsentsiya.PDF		572.17 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar