Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/2061
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСтрогова, Н. С.-
dc.contributor.authorСтрогова, А. С.-
dc.contributor.authorКовалевский, А. А.-
dc.contributor.authorБорисевич, В. М.-
dc.contributor.authorПлякин, Д. В.-
dc.date.accessioned2014-12-08T13:00:41Z-
dc.date.accessioned2017-07-12T11:47:23Z-
dc.date.available2014-12-08T13:00:41Z-
dc.date.available2017-07-12T11:47:23Z-
dc.date.issued2011-
dc.identifier.citationУсловия образования нанокластеров при формировании наноструктурированных пленок поликристаллического кремния, легированного германием / Н. С. Строгова [и др.] // Доклады БГУИР. - 2011. - № 8 (62). - С. 65 - 71.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/2061-
dc.description.abstractПроведены исследования топографии поверхности, кристаллической структуры пленок, поликристаллического кремния, легированного германием, полученных разложением смеси моносилан – моногерман – водород. Изменение структуры Ge и SiGe-кластеров анализировалось на основании данных спектроскопии комбинационного рассеяния света. Также проанализированы зависимости роста пленок от полного давления в реакторе и парциального давления моносилана.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectнанокластерыru_RU
dc.subjectформирование наноструктурированных пленок кремнияru_RU
dc.subjectсамоорганизация нанокластеровru_RU
dc.titleУсловия образования нанокластеров при формировании наноструктурированных пленок поликристаллического кремния, легированного германиемru_RU
dc.title.alternativeConditions for the formation of nanoclusters during the preparation of nanostuctured films of polycrystalline silicon doped with germaniumru_RU
dc.typeArticleru_RU
Appears in Collections:№8 (62)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Strogova_Usloviya.PDF619.94 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.