Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/25037
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЕмельянов, А. В.-
dc.date.accessioned2017-09-01T12:20:20Z-
dc.date.available2017-09-01T12:20:20Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationЕмельянов, А. В. Информационно-параметрические методы совершенствования технологии производства субмикронных интегральных микросхем с применением тестовых структур: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.01 / А. В. Емельянов; науч. рук. А. П. Достанко. – Минск : БГУИР, 2012. - 25 с.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/25037-
dc.description.abstractЦель работы: разработка конструкций и технологических процессов создания тестовых полупроводниковых структур, информационно-параметрических методов и средств определения закономерностей формирования структуры и свойств функциональных слоев и заданных эксплуатационных параметров субмикронных микросхем на этапах их изготовления в условиях серийного производства.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectавторефераты диссертацийru_RU
dc.subjectинтегральные микросхемы (ИМС)ru_RU
dc.subjectтестовые структурыru_RU
dc.subjectпоказатели надежностиru_RU
dc.subjectпрогнозирование отказовru_RU
dc.subjectдефектыru_RU
dc.subjectдиэлектрические слоиru_RU
dc.subjectметаллизацияru_RU
dc.subjectintegrated microcircuits (IC)ru_RU
dc.subjecttest structuresru_RU
dc.subjectreliability indexru_RU
dc.subjectrejects forecastingru_RU
dc.subjectdefectsru_RU
dc.subjectdielectric layersru_RU
dc.titleИнформационно-параметрические методы совершенствования технологии производства субмикронных интегральных микросхем с применением тестовых структурru_RU
dc.typeАвторефератru_RU
local.description.annotationResearch purpose: developing the design and technological processes of creating test semiconductor structures, information - parametric methods and means of determining correlation of forming structure and characteristics of the functional layers and the given operating parameters of submicron microcircuits in their manufacture stages under the conditions of mass production.-
Appears in Collections:05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Emelyanov_Info.pdf1.36 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.