Исследование влияния дефектов и примесей на фундаментальные электронные свойства двумерных гексагональных кристаллов MoS2 И WS2 : отчет о НИР (заключ.)

Борисенко, В. Е.; Кривошеева, А. В.

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Борисенко, В. Е.	-
dc.contributor.author	Кривошеева, А. В.	-
dc.date.accessioned	2017-10-04T12:54:01Z	-
dc.date.available	2017-10-04T12:54:01Z	-
dc.date.issued	2016	-
dc.identifier.citation	Исследование влияния дефектов и примесей на фундаментальные электронные свойства двумерных гексагональных кристаллов MoS2 И WS2 : отчет о НИР (заключ.) / БГУИР ; научный руководитель В. Е. Борисенко ; отв. исполнитель А. В. Кривошеева . – Минск , 2016. – 32 с. - № ГР 20150464	ru_RU
dc.identifier.govdoc	№ ГР 20150464	-
dc.identifier.uri	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/26041	-
dc.description.abstract	Проведен теоретический расчет методами из первых принципов структурных, электронных и оптических свойств двумерных кристаллов MoS2 и WS2. Установлено, что непрямозонные в объемном состоянии полупроводники MoS2 и WS2 при уменьшении размеров структуры до одного монослоя становятся прямозонными материалами, проявляющими полупроводниковые свойства.	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.publisher	БГУИР	ru_RU
dc.relation.ispartofseries	ГБЦ 15-3062;;	-
dc.subject	отчеты о НИР	ru_RU
dc.subject	двумерный кристалл	ru_RU
dc.title	Исследование влияния дефектов и примесей на фундаментальные электронные свойства двумерных гексагональных кристаллов MoS2 И WS2 : отчет о НИР (заключ.)	ru_RU
dc.type	Отчеты о НИР	ru_RU
Appears in Collections:	Отчеты о НИР 2016