Исследование влияния дефектов и примесей на фундаментальные электронные свойства двумерных гексагональных кристаллов MoS2 И WS2 : отчет о НИР (заключ.)

Борисенко, В. Е.; Кривошеева, А. В.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/26041

Title:	Исследование влияния дефектов и примесей на фундаментальные электронные свойства двумерных гексагональных кристаллов MoS2 И WS2 : отчет о НИР (заключ.)
Authors:	Борисенко, В. Е. Кривошеева, А. В.
Keywords:	отчеты о НИР;двумерный кристалл
Issue Date:	2016
Publisher:	БГУИР
Citation:	Исследование влияния дефектов и примесей на фундаментальные электронные свойства двумерных гексагональных кристаллов MoS2 И WS2 : отчет о НИР (заключ.) / БГУИР ; научный руководитель В. Е. Борисенко ; отв. исполнитель А. В. Кривошеева . – Минск , 2016. – 32 с. - № ГР 20150464
Series/Report no.:	ГБЦ 15-3062;;
Abstract:	Проведен теоретический расчет методами из первых принципов структурных, электронных и оптических свойств двумерных кристаллов MoS2 и WS2. Установлено, что непрямозонные в объемном состоянии полупроводники MoS2 и WS2 при уменьшении размеров структуры до одного монослоя становятся прямозонными материалами, проявляющими полупроводниковые свойства.
Gov't Doc #:	№ ГР 20150464
URI:	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/26041
Appears in Collections:	Отчеты о НИР 2016

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
№ ГР 20150464 (15-3062)_Рук_НИР_Борисенко.pdf Restricted Access		3.08 MB	Adobe PDF	View/Open Request a copy

Show full item record Google Scholar