Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/26041
Title: Исследование влияния дефектов и примесей на фундаментальные электронные свойства двумерных гексагональных кристаллов MoS2 И WS2 : отчет о НИР (заключ.)
Authors: Борисенко, В. Е.
Кривошеева, А. В.
Keywords: отчеты о НИР
двумерный кристалл
Issue Date: 2016
Publisher: БГУИР
Citation: Исследование влияния дефектов и примесей на фундаментальные электронные свойства двумерных гексагональных кристаллов MoS2 И WS2 : отчет о НИР (заключ.) / БГУИР ; научный руководитель В. Е. Борисенко ; отв. исполнитель А. В. Кривошеева . – Минск , 2016. – 32 с. - № ГР 20150464
Series/Report no.: ГБЦ 15-3062;;
Abstract: Проведен теоретический расчет методами из первых принципов структурных, электронных и оптических свойств двумерных кристаллов MoS2 и WS2. Установлено, что непрямозонные в объемном состоянии полупроводники MoS2 и WS2 при уменьшении размеров структуры до одного монослоя становятся прямозонными материалами, проявляющими полупроводниковые свойства.
Gov't Doc #: № ГР 20150464
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/26041
Appears in Collections:Отчеты о НИР 2016

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
№ ГР 20150464 (15-3062)_Рук_НИР_Борисенко.pdf3,08 MBAdobe PDFView/Open Request a copy
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.