Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27564
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГолосов, Д. А.-
dc.contributor.authorЗавадский, С. М.-
dc.contributor.authorМельников, С. Н.-
dc.date.accessioned2017-11-03T11:46:50Z-
dc.date.available2017-11-03T11:46:50Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationРазработка научных основ и технологий ионно-плазменного формирования тонких пленок проводящих оксидов для использования в качестве электродов ячеек сегнетоэлектрических элементов памяти : отчет о НИР (заключ.) / БГУИР ; научный руководитель Д. А. Голосов; отв. исполнитель С. М. Завадский . – Минск , 2016. – 49 с. - № ГР 20142481ru_RU
dc.identifier.govdoc№ ГР 20142481-
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27564-
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.relation.ispartofseriesГБЦ № 14-3023;;-
dc.subjectотчеты о НИРru_RU
dc.titleРазработка научных основ и технологий ионно-плазменного формирования тонких пленок проводящих оксидов для использования в качестве электродов ячеек сегнетоэлектрических элементов памяти : отчет о НИР (заключ.)ru_RU
dc.typeОтчеты о НИРru_RU
Appears in Collections:Отчеты о НИР 2016

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
№ ГР 20142481 (14-3023)_Рук_ НИР_Голосов1.pdf
  Restricted Access
2.31 MBAdobe PDFView/Open Request a copy
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.