https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27858| Title: | Конструктивно-технологические особенности MOSFET-транзисторов |
| Authors: | Керенцев, А. Ф. Ланин, В. Л. |
| Keywords: | публикации ученых;MOSFET-транзисторы;конструктивно-технологические особенности |
| Issue Date: | 2008 |
| Publisher: | ООО «Медиа КиТ» Санкт-Петербург |
| Citation: | Керенцев, А. Ф. Конструктивно-технологические особенности MOSFET-транзисторов / А. Ф. Керенцев, В. Л. Ланин // Силовая электроника. – 2008. – № 1. – С. 50–54. |
| Abstract: | Рассмотрены различные структуры и конструктивно-технологические особенности металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET). Определены оптимальные варианты конструктивно-технологического исполнения MOSFET и способы монтажа кристаллов в корпус, обеспечивающие стабильность и воспроизводимость параметров изделий. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27858 |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Lanin_Konstruktivno.pdf | 455.15 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.