Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27915
Title: Формирование пленок оксида гафния методом реактивного магнетронного распыления
Authors: Голосов, Д. А.
Завадский, С. М.
Мельников, С. Н.
Вилья, Н.
Keywords: публикации ученых;оксид гафния;реактивное магнетронное распыление;диэлектрическая проницаемость;запрещенная зона
Issue Date: 2017
Publisher: Россия
Citation: Формирование пленок оксида гафния методом реактивного магнетронного распыления / Д. А. Голосов и др. // Физика диэлектриков: материалы XIV Международной конференции (Диэлектрики-2017). – Санкт-Петербург, 2017. – С. 328 – 330.
Abstract: На протяжении всего развития микроэлектроники в качестве основного диэлектрика кремниевых интегральных микросхемах использовался оксид кремния. Принципиальным ограничением на пути развития данного направления является низкая диэлектрическая проницаемость оксида кремния(ε ≈ 3.9). Как результат, при технологических нормах 60 нм толщину подзатворного диэлектрика в полевых транзисторах необходимо уменьшать до 1.2 нм, что составляет всего лишь пять атомных слоев. Для перехода к меньшим технологическим нормам необходимо использовать новые материалы с высокой диэлектрической проницаемостью в диапазоне 15 – 30 единиц (так называемые альтернативные, или high-k диэлектрики) [1]. Из данных диэлектриков наибольшие перспективы для применения в кремниевой микроэлектронике имеет оксид гафния. Оксид гафния обладает достаточно высокой термодинамической стабильностью на границе раздела с кремнием, высокой диэлектрической проницаемостью и большой шириной запрещенной зоны. Однако на данный момент практическое использование пленок оксида гафния сталкивается с серьезными трудностями. Пленки не обладают достаточной термической стабильностью, и проявляет тенденцию к кристаллизации при температурах 400 – 450 °C. Кристаллизация оксида гафния ведет к увеличению токов утечки по границам зерен. Высокие токи утечки определяются наличием большого количества дефектов в структуре поликристаллических пленок. Один из способов получения аморфных или со слабовыраженной кристаллической структурой диэлектриков основан на использовании слоев, наносимых при низких температурах, например методом реактивного магнетронного распыления без нагрева подложек и последующего отжига.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27915
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Golosov_Formirovaniye.pdf166.62 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.