Особенности выращивания, структура и основные физико-химические свойства монокристаллов FeGa2Se4

Abstract

Исследованы монокристаллы соединения FeGa2Se4, относящегося к перспективному классу разбавленных магнитных полупроводников типа AB2X4 (А – Мn, Fе, Со, Ni; В – Gа, In; Х – S, Sе, Те), на основе которых в настоящее время создают твердотельные магнитоуправляемые устройства. Впервые получены объемные оптически однородные монокристаллы соединения FeGa2Se4 диаметром ~ 14 мм и длиной ~ 50 мм модифицированным методом Бриджмена из расплава. Определен элементный состав кристаллов методом микрозондового рентгеноспектрального анализа, который показал согласование содержания элементов в выращенном соединении с заданным составом в исходной шихте. Методом рентгено-фазового анализа установлено, что указанное соединение кристаллизуется в кубической структуре типа сфалерит с параметром элементарной ячейки а = 5,498 ± 0,005 Å. Определены температуры плавления и кристаллизации выращенных монокристаллов соединения FeGa2Se4 методом дифференциально-термического анализа. Температура плавления составила 1283 К. Впервые измерена микротвердость монокристаллов и определена плотность пикнометрическим методом, а по спектрам ядерного гамма-резонанса — параметры сверхтонких взаимодействий ионов железа.