| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Данилюк, А. Л. | - |
| dc.contributor.author | Берашевич, Ю. А. | - |
| dc.contributor.author | Королев, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Холод, А. Н. | - |
| dc.contributor.author | Борисенко, В. Е. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-03-23T06:42:08Z | - |
| dc.date.available | 2018-03-23T06:42:08Z | - |
| dc.date.issued | 2004 | - |
| dc.identifier.citation | Наноэлектронные приборы на квантовых колодцах диэлектрик/кремний/диэлектрик = Nanoelectronics devices on insulate/silicon/insulate quantum wells / А. Л. Данилюк [и др.] // Доклады БГУИР. – 2004. – № 2 (6). – С. 93–102. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30684 | - |
| dc.description.abstract | Обобщены результаты исследования закономерностей транспорта носителей заряда, зарядовых и резонансных эффектов в наноразмерных периодических структурах диэлектрик/кремний/диэлектрик. Рассмотрены механизмы возникновения отрицательного дифференциального сопротивления и гистерезиса на их вольт-амперных характеристиках. Представлены конструкции новых наноэлектронных приборов на нелинейных электронных
свойствах квантовых колодцев: логические элементы, элемент памяти, аналого-цифровой преобразователь, генератор колебаний, логические элементы для квантовых вычислений, рабочие характеристики которых оценены на примере периодических CaF2/Si/CaF2 наноструктур. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | кремний | ru_RU |
| dc.subject | квантовые колодцы | ru_RU |
| dc.subject | наноразмерная периодическая структура | ru_RU |
| dc.subject | отрицательное дифференциальное сопротивление | ru_RU |
| dc.subject | туннелирование | ru_RU |
| dc.title | Наноэлектронные приборы на квантовых колодцах диэлектрик/кремний/диэлектрик | ru_RU |
| dc.title.alternative | Nanoelectronics devices on insulate/silicon/insulate quantum wells | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The results of theoretical and experimental study of carrier transport, charging and resonant effects in periodic dielectric/silicon/dielectric quantum well nanostructures are summarized. Origins of negative differental resistance and hysteresis on their current-Voltage characteristics are considered. New nanoelectronic
devices employing nonlinear electronic properties of the quantum wells are proposed: logic elements memory,
analog-digital converter, oscillator, elements for quantum calculations, which performance are demonstrated
with examples of periodic CaF2/Si/CaF2 nanostructures. | - |
| Appears in Collections: | №2 (6)
|
