Методы и средства моделирования и проектирования технологических процессов микроэлектроники

Abstract

Приведены результаты исследований методами молекулярной динамики и механики сплошных сред физических закономерностей и механизмов формирования пространственного распределения дефектов и примесных атомов в радиационно-термических технологических процессах микроэлектроники. Описаны разработанные физические модели и алгоритмы для моделирования процессов диффузионного перераспределения примесных атомов при термообработке и окислении монокристаллического кремния, а также газофазного осаждения поликристаллического кремния, определяющие многомерное распределение примесей и модификацию поверхности при изготовлении субмикронных элементов интегральных микросхем. Представлены модели и алгоритмы для осуществления неразрушающего восстановления распределения примесей в полупроводниковых структурах с использованием результатов ИК спектрофотометрических измерений. Описано решение задачи многофакторного статистического анализа в цикле Монте-Карло влияния флуктуаций технологических параметров на выходные характеристики проектируемых приборов/схем и оптимизации этих параметров. Сформулирована реализованная концепция виртуальной лаборатории в сети Интернет для коллективного проектирования технологии интегральных схем удаленными разработчиками и для дистанционного обучения.