Методы и средства моделирования и проектирования технологических процессов микроэлектроники

Abstract

Приведены результаты исследований методами молекулярной динамики и механики сплошных сред физических закономерностей и механизмов формирования пространствен- ного распределения дефектов и примесных атомов в радиационно-термических технологи- ческих процессах микроэлектроники. Описаны разработанные физические модели и алго- ритмы для моделирования процессов диффузионного перераспределения примесных атомов при термообработке и окислении монокристаллического кремния, а также газофазного оса- ждения поликристаллического кремния, определяющие многомерное распределение приме- сей и модификацию поверхности при изготовлении субмикронных элементов интегральных микросхем. Представлены модели и алгоритмы для осуществления неразрушающего вос- становления распределения примесей в полупроводниковых структурах с использованием результатов ИК спектрофотометрических измерений. Описано решение задачи многофак- торного статистического анализа в цикле Монте-Карло влияния флуктуаций технологиче- ских параметров на выходные характеристики проектируемых приборов/схем и оптимиза- ции этих параметров. Сформулирована реализованная концепция виртуальной лаборатории в сети Интернет для коллективного проектирования технологии интегральных схем удален- ными разработчиками и для дистанционного обучения.