https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30744
Название: | Исследование двухбарьерной резонансно- туннельной структуры на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной модели |
Другие названия: | Investigation of GaAs/AlAs double-barrier resonant tunnel structure with the use of combined two-band model |
Авторы: | Абрамов, И. И. Гончаренко, И. А. Коломейцева, Н. В. |
Ключевые слова: | доклады БГУИР;резонансно-туннельная структура;двухзонная модель;пиковый ток |
Дата публикации: | 2004 |
Издательство: | БГУИР |
Описание: | Абрамов, И. И. Исследование двухбарьерной резонансно- туннельной структуры на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной модели / И. И. Абрамов, И. А. Гончаренко, Н. В. Коломейцева // Доклады БГУИР. - 2004. - № 4 (8). - С. 42 - 46. |
Аннотация: | В данной работе проведено исследование влияния Г-Х рассеяния и температуры на вольт- амперные характеристики (ВАХ) двухбарьерной резонансно-туннельной структуры (РТС) на основе GaAs/AlAs с протяженными областями с использованием разработанной комби- нированной двухзонной модели. Предложенная модель основана на самосогласованном решении уравнений Шредингера и Пуассона и включена в систему моделирования нано- электронных приборов NANODEV. С использованием двухзонной модели показано, что учет Г-Х рассеяния существенно влияет на электрические характеристики прибора. |
URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30744 |
Располагается в коллекциях: | №4 (8) |
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Abramov_Investigation.pdf | 585.46 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.