| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Абрамов, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Гончаренко, И. А. | - |
| dc.contributor.author | Коломейцева, Н. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-03-28T12:52:26Z | - |
| dc.date.available | 2018-03-28T12:52:26Z | - |
| dc.date.issued | 2004 | - |
| dc.identifier.citation | Абрамов, И. И. Исследование двухбарьерной резонансно-туннельной структуры на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной модели = Investigation of GaAs/AlAs double-barrier resonant tunnel structure with the use of combined two-band model / И. И. Абрамов, И. А. Гончаренко, Н. В. Коломейцева // Доклады БГУИР. – 2004. – № 4 (8). – С. 42–46. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30744 | - |
| dc.description.abstract | В данной работе проведено исследование влияния Г-Х рассеяния и температуры на вольт-амперные характеристики (ВАХ) двухбарьерной резонансно-туннельной структуры (РТС) на основе GaAs/AlAs с протяженными областями с использованием разработанной комбинированной двухзонной модели. Предложенная модель основана на самосогласованном решении уравнений Шредингера и Пуассона и включена в систему моделирования наноэлектронных приборов NANODEV. С использованием двухзонной модели показано, что учет Г-Х рассеяния существенно влияет на электрические характеристики прибора. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | резонансно-туннельная структура | ru_RU |
| dc.subject | двухзонная модель | ru_RU |
| dc.subject | пиковый ток | ru_RU |
| dc.title | Исследование двухбарьерной резонансно-туннельной структуры на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной модели | ru_RU |
| dc.title.alternative | Investigation of GaAs/AlAs double-barrier resonant tunnel structure with the use of combined two-band model | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | In the paper the influence of Г-Х intervalley scattering and temperature on I-V characteristics
of GaAs/AlAs double-barrier resonant tunnel structure with expanded regions with the use of developed combined two-band model was investigated. The proposed model based on self-consistent solution of Schrödinger’s and Poisson’s equations. The model was included in the nanoelectronic device
simulation system NANODEV. It was shown that Г-Х intervalley scattering may cause a significant
effect on electrical characteristics of device. | - |
| Appears in Collections: | №4 (8)
|
