Исследование двухбарьерной резонансно-туннельной структуры на основе GaAs/AlAs с использованием комбинированной двухзонной модели

Abstract

В данной работе проведено исследование влияния Г-Х рассеяния и температуры на вольт-амперные характеристики (ВАХ) двухбарьерной резонансно-туннельной структуры (РТС) на основе GaAs/AlAs с протяженными областями с использованием разработанной комбинированной двухзонной модели. Предложенная модель основана на самосогласованном решении уравнений Шредингера и Пуассона и включена в систему моделирования наноэлектронных приборов NANODEV. С использованием двухзонной модели показано, что учет Г-Х рассеяния существенно влияет на электрические характеристики прибора.