| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Коробко, Ю. О. | - |
| dc.contributor.author | Достанко, А. П. | - |
| dc.contributor.author | Турцевич, А. С. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-02T09:22:19Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-02T09:22:19Z | - |
| dc.date.issued | 2004 | - |
| dc.identifier.citation | Коробко, Ю. О. Особенности применения проекционной фотолитографии при производстве силовых биполярных интегральных микросхем = Peculiarities of projection photolithography application in power bipolar microcircuits production / Ю. О. Коробко, А. П. Достанко, А. С. Турцевич // Доклады БГУИР. – 2004. – № 4 (8). – С. 79–83. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30803 | - |
| dc.description.abstract | Для устранения эффекта снижения контрастности знаков совмещения в результате зарастания лунки при химическом осаждении пленки из газовой фазы предложено проводить формирование дополнительных знаков совмещения по эпитаксиальному слою. С целью увеличения точности определения ухода линейных размеров элементов в слое сформированной структуры, либо рассовмещения элементов, расположенных в различных слоях относительно друг друга, предлагается введение нониусов — специально разработанных тестовых элементов, представляющих собой набор парных клинообразных элементов с равномерно увеличивающейся шириной перемычки по ряду. Описана методика применения данного теста и полученные при его использовании результаты. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | проекционная фотолитография | ru_RU |
| dc.subject | точность | ru_RU |
| dc.subject | знаки совмещения | ru_RU |
| dc.subject | визуальный контроль | ru_RU |
| dc.title | Особенности применения проекционной фотолитографии при производстве силовых биполярных интегральных микросхем | ru_RU |
| dc.title.alternative | Peculiarities of projection photolithography application in power bipolar microcircuits production | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | For the elimination of the decrease effect of alignment marks visibility as a result of hole reduction during chemical vapor deposition it is suggested forming additional alignment marks on the
epitaxial layer. With the purpose of the increasing of accuracy in definition of linear sizes of elements
change in a formed structure or shifting of element located in different layer it is proposed to introduce
noniuses, that is specially designed test elements, representing a set of binary wedged shaped ones
with uniformly increasing breadth of a cross connection on a series. The technique of application of
the given test and obtained results are described. | - |
| Appears in Collections: | №4 (8)
|
