Особенности применения проекционной фотолитографии при производстве силовых биполярных интегральных микросхем

Abstract

Для устранения эффекта снижения контрастности знаков совмещения в результате зарастания лунки при химическом осаждении пленки из газовой фазы предложено проводить формирование дополнительных знаков совмещения по эпитаксиальному слою. С целью увеличения точности определения ухода линейных размеров элементов в слое сформированной структуры, либо рассовмещения элементов, расположенных в различных слоях относительно друг друга, предлагается введение нониусов — специально разработанных тестовых элементов, представляющих собой набор парных клинообразных элементов с равномерно увеличивающейся шириной перемычки по ряду. Описана методика применения данного теста и полученные при его использовании результаты.