https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30823
Title: | Особенности рентгеноэлектронных спектров монокристаллов твердых растворов на основе теллурида висмута |
Other Titles: | Peculiarities of XPS spectra taken from single crystals of bismuth telluride-based solid solutions |
Authors: | Гасенкова, И. В. Тявловская, Е. А. |
Keywords: | доклады БГУИР;теллурид висмута;легирование;рентгеновские фотоэлектронные спектры;энергия связи |
Issue Date: | 2005 |
Publisher: | БГУИР |
Citation: | Гасенкова, И. В. Особенности рентгеноэлектронных спектров монокристаллов твердых растворов на основе теллурида висмута = Peculiarities of XPS spectra taken from single crystals of bismuth telluride-based solid solutions / И. В. Гасенкова, Е. А. Тявловская // Доклады БГУИР. – 2005. – № 1 (9). – С. 81–86. |
Abstract: | Анализируются рентгеновские фотоэлектронные спектры нелегированных и легированных оловом (0,2 ат.% и 0,4 ат.%) и SbI3 монокристаллов твердых растворов Bi2Te2,85Se0,15, выращенных методом Чохральского с подпиткой раствора жидкой фазой. Приведены энергии связи остовных уровней Bi 4f, Te 3d, Te 4d, Sn 3d в исследуемых материалах и распределение плотности электронных состояний в валентной зоне. Обнаружены химический сдвиг уровней висмута и теллура и увеличение на ∼0,5 эВ энергетического расстояния между ними в легированных атомами олова твердых растворах и перераспределение валентных состояний при увеличении количества введенных в раствор атомов олова. Особенности распределения плотности состояний: ее увеличение в области энергий ∼0,4–3 эВ при неизменной плотности вблизи уровня Ферми не подтверждают образования резонансных состояний при увеличении количества легирующей примеси Sn с 0,2 ат.% до 0,4 ат. %. Вид температурных зависимостей кинетических коэффициентов в монокристаллах с увеличенным содержанием примеси (0,4 ат.%) должен быть подобен их поведению в нелегированных и легированных Sn в количестве 0,2 ат.% твердых растворах, отличие возможно лишь в количественных значениях. |
Alternative abstract: | XPS spectra obtained from non-doped and Sn-doped (0,2 at.% and 0,4 at.%) and SbI3–doped single crystals of Bi2Te2,85Se0,15 solid solutions grown by melt-feed Czochralsky technique are analyzed. Binding energies of Bi 4f, Te 3d, Te 4d, Sn 3d core levels in the above single crystals and the electron state density distribution in the valence band are presented. Chemical shift of Bi and Te levels and an increase of the energy gap between these levels by ∼ 0,5 eV have been revealed for the Sn-doped solid solutions, and redistribution of valence states with growing Sn dopant concentration has been found. The observed behavior of the state density, i.e. an increase in the 0,4–3 eV energy range and its constancy near the Fermi level, does not testify to formation of resonance states with increasing Sn dopant concentration from 0,2 at.% to 0,4 at.%. The behavior of temperature dependences of the kinetic coefficients for single crystal with increased dopant concentration (0,4 at.%) should be similar to their dependence in the non-doped and 0,2 at.% Sn-doped solid solutions, the only difference being possible in quantitative characteristics. |
URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30823 |
Appears in Collections: | №1 (9) |
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Gasenkova_Peculiarities.pdf | 628.66 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.