| Title: | Структурные свойства химически осажденных тонких пленок серебра с вольфрамом |
| Other Titles: | Structure properties of electroless deposited silver with tungsten thin films |
| Authors: | Богуш, В. А. |
| Keywords: | доклады БГУИР;серебро;вольфрам;химическое осаждение;металлизация;тонкие пленки |
| Issue Date: | 2003 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Богуш, В. А. Структурные свойства химически осажденных тонких пленок серебра с вольфрамом / В. А. Богуш // Доклады БГУИР. - 2003. - № 3. - С. 53 - 59. |
| Abstract: | Описана методика формирования и особенности элементного состава и микроструктуры
тонких пленок серебра с вольфрамом. Осаждение производилось на поверхность активированного палладием полированного оксида кремния химическим восстановлением из водных
растворов. Использование аммиачно-ацетатного или бензоатного комплекса серебра обеспечивает высокую стабильность электролитов. Изучались кинетика осаждения, структурные и электрические свойства тонких пленок в диапазоне толщин от 30 до 200 нм. Обсуждается влияние вольфрама на механизм формирования осадков. Показано, что серебряные
пленки, содержащие 0,4–0,6 ат. % вольфрама, обладают повышенной электрической проводимостью и коррозионной стойкостью, что объясняется более плотной структурой осадков
вследствие сегрегации вольфрама на границах зерен. Обсуждается возможное применение
разработанных методик для формирования проводящих и защитных слоев в изделиях электронной техники и микроэлектронике. |
| Alternative abstract: | This paper presents deposition technology, composition and microstructure features of silver
with tungsten thin films. The deposition was performed on palladium activated silicon oxide surface
by electroless method. Using of ammonia-acetate or benzoate silver complexes provides high stability
of electrolytes. The deposition kinetics, structure and electrical properties of thin films were studied in
the thickness range from 30 to 200 nm. Influence of tungsten on the mechanism of deposition is discussed. It’s shown that silver films containing 0.4–0.6 atom % of tungsten have demonstrated the increased electrical conductivity and corrosion stability. This observation may be explained by higher
deposits density due to tungsten grain boundaries segregation. Possible applications of developed
technology for interconnect and protective layers deposition in electronics and microelectronics were
Discussed. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30973 |
| Appears in Collections: | №3
|
