| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Плебанович, В. И. | - |
| dc.contributor.author | Белоус, А. И. | - |
| dc.contributor.author | Челядинский, А. Р. | - |
| dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-19T07:18:12Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-19T07:18:12Z | - |
| dc.date.issued | 2006 | - |
| dc.identifier.citation | Образование остаточных нарушений в кремнии, имплантированном ионами углерода и бора = Formation of secondary damage in silicon implanted with carbon and boron ions / В. И. Плебанович [и др.] // Доклады БГУИР. – 2006. – № 2 (14). – С. 42–48. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31041 | - |
| dc.description.abstract | Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано образование остаточных протяженных нарушений в кремнии, имплантированном ионами С+ и методом двойной имплантации С+ и В+. Установлено, что формирование остаточных нарушений может быть подавлено благодаря аннигиляции точечных дефектов на атомах С (эффект Воткинса). Положительный эффект достигается при локализации внедряемого углерода по узлам решетки, что обеспечивается его имплантацией с эффективной плотностью тока сканирующего пучка ионов не ниже 1,0 мкА⋅см–2. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | кремний | ru_RU |
| dc.subject | имплантация | ru_RU |
| dc.subject | углерод | ru_RU |
| dc.subject | бор | ru_RU |
| dc.subject | остаточные протяженные нарушения | ru_RU |
| dc.title | Образование остаточных нарушений в кремнии, имплантированном ионами углерода и бора | ru_RU |
| dc.title.alternative | Formation of secondary damage in silicon implanted with carbon and boron ions | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The effect of C atoms on the formation of secondary extended damage in silicon implanted with C+ and co-implanted with C+ and B+ ions has been investigated. It is shown that formation of secondary damage is suppressed by carbon implantation at high densities of ion current when the implanted C is incorporated substitutionally into silicon lattice. | - |
| Appears in Collections: | №2 (14)
|
