https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31157| Title: | Конструктивно-технологическая оптимизация мощных ДМОП транзисторов |
| Other Titles: | Optimization of power DMOS transistors solid- state structure and technology |
| Authors: | Баранов, В. В. Кречко, М. М. Рубцевич, И. И. |
| Keywords: | доклады БГУИР;ДМОП транзисторы;структура;модели;методы оптимизации |
| Issue Date: | 2007 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Баранов, В. В. Конструктивно-технологическая оптимизация мощных ДМОП транзисторов / В. В. Баранов, М. М. Кречко, И. И. Рубцевич // Доклады БГУИР. - 2007. - № 2 (18). - С. 106 - 111. |
| Abstract: | Описана разработанная система моделирования и конструктивно-технологической оптимизации мощных ДМОП транзисторов, которая позволила освоить в серийном производстве ряд мощных полевых n- и p-канальных МОП транзисторов, конкурентоспо- собных на мировом рынке. Диапазон рабочих напряжений приборов 12–800 В, рабочих токов от 0,1 до 75 А. |
| Alternative abstract: | The developed system of simulation and optimization of power DMOS transistors layout and technology has been described. It is used for starting manufacture of power MOSFETs with n- and p-channels that are demanded by the world market. The range of the devices voltage is 12– 800 V, the range of the devices current — 0,1–75 A. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31157 |
| Appears in Collections: | №2 (18) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Baranov_Optimization.pdf | 563.44 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.