Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31157
Title: Конструктивно-технологическая оптимизация мощных ДМОП транзисторов
Other Titles: Optimization of power DMOS transistors solid- state structure and technology
Authors: Баранов, В. В.
Кречко, М. М.
Рубцевич, И. И.
Keywords: доклады БГУИР;ДМОП транзисторы;структура;модели;методы оптимизации
Issue Date: 2007
Publisher: БГУИР
Citation: Баранов, В. В. Конструктивно-технологическая оптимизация мощных ДМОП транзисторов / В. В. Баранов, М. М. Кречко, И. И. Рубцевич // Доклады БГУИР. - 2007. - № 2 (18). - С. 106 - 111.
Abstract: Описана разработанная система моделирования и конструктивно-технологической оптимизации мощных ДМОП транзисторов, которая позволила освоить в серийном производстве ряд мощных полевых n- и p-канальных МОП транзисторов, конкурентоспо- собных на мировом рынке. Диапазон рабочих напряжений приборов 12–800 В, рабочих токов от 0,1 до 75 А.
Alternative abstract: The developed system of simulation and optimization of power DMOS transistors layout and technology has been described. It is used for starting manufacture of power MOSFETs with n- and p-channels that are demanded by the world market. The range of the devices voltage is 12– 800 V, the range of the devices current — 0,1–75 A.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31157
Appears in Collections:№2 (18)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Baranov_Optimization.pdf563.44 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.