Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31229
Title: Получение и физические свойства Cu(In,Ga)(S,Se)2 пленок для фотопреобразователей многокристальных модулей
Other Titles: Preparation and physical properties of Cu(In,Ga)(S,Se)2 films for photovoltaic devices of multicristal modules
Authors: Тиванов, М. С.
Зарецкая, Е. П.
Иванов, В. А.
Гременок, В. Ф.
Залесский, В. Б.
Романов, П. И.
Дроздов, Н. А.
Федотов, А. К.
Белоус, А. И.
Шведов, С. В.
Tivanov, M. S.
Zaretskaya, E. P.
Ivanov, V. A.
Gremenok, V. F.
Zalesski, V. B.
Romanov, P. I.
Drozdov, N. A.
Fedotov, A. K.
Belous, A. I.
Shvedov, S. V.
Keywords: доклады БГУИР
Cu(In,Ga)(S,Se)2
фотопреобразователь
сульфиризация
селенизация
Issue Date: 2007
Publisher: БГУИР
Citation: Получение и физические свойства Cu(In,Ga)(S,Se)2 пленок для фотопреобразователей многокристальных модулей / М. С. Тиванов и др. // Доклады БГУИР. - 2007. - № 3 (19). - С. 62 - 67.
Abstract: Представлены результаты исследований физических свойств тонких пленок Cu(In,Ga)(S,Se)2, полученных методом сульфиризации/селенизации интерметаллических слоев Cu–In–Ga. Основное отличие предлагаемого метода от известных технологий — сульфиризация/селенизация проводится одним технологическим этапом и без использования высокотоксичных газов H2Se и H2S. Предлагаемый метод перспективен для получения однофазных пленок твердых растворов Cu(In,Ga)(S,Se)2 большой площади с заданными физическими характеристиками (ширина запрещенной зоны, распределение компонент по глубине, коэффициент оптического поглощения, удельное электрическое сопротивление и пр.), что обеспечивается контролем соотношения компонентов и технологических режимов синтеза.The study of physical properties of Cu(In,Ga)(S,Se)2 thin films obtained by sulfurization/selenezation of Cu–In–Ga metallic alloys is presented. The main difference between the proposed method and well-known technologies is the using of one-step sulfurization/selenezation process without toxic H2Se and H2S gases. The proposed method is promising for the preparation of single-phase Cu(In,Ga)(S,Se)2 thin films of desired properties with large area. The desired properties (band gap value, optical absorption, distribution of elements through the depth, the resistivity et.c.) are determined by the elements ratio and the growth regimes.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31229
Appears in Collections:№3 (19)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Tivanov_Preparation.pdf1,02 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.