Зарядовые состояния точечных дефектов в катионной и анионной подрешетках высокотемпературных сверхпроводников

Abstract

С использованием положений кристаллофизики и термодинамики рассмотрены особенности формирования системы точечных дефектов в катионной и анионной подрешетках ВТСП для системы Y-Ba-Cu-O состава YBa2Cu3O7–δ. Приведены соотношения для доли нормально занятых узлов, доли мест вакансий, свободных и занятых междоузлий, замещающих атомов в катионной и анионной подрешетках и классификация точечных дефектов, включающая 13 типов возможных дефектов в этих материалах. Показано, что степени ионизации n и знаки зарядов ( ) ионов металлов, занимающих нормальные позиции в катионной подрешетке и ионов кислорода, занимающих нормальные позиции в анионной подрешетке кристаллической решетки соединения в катионной и анионной подрешетках а также эффективные заряды 13 видов дефектов в этом соединении определяются с учетом их расположения в конкретных кристаллографических позициях кристаллической решетки, валентности химических элементов, образующих конкретный ВТСП, при условии сохранения его электроней-тральности.