Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31667
Название: Electrochemical deposition of zinc oxide on a thin nickel buffer layer on silicon substrates
Авторы: Chubenko, E. B.
Klyshko, A. A.
Bondarenko, V. P.
Balucani, M.
Ключевые слова: публикации ученых;electrochemical deposition;zinc oxide;porous silicon;voltammetry;scanning electron microscopy
Дата публикации: 2011
Издательство: Elsevier
Описание: Electrochemical deposition of zinc oxide on a thin nickel buffer layer on silicon substrates / E. B. Chubenko [et al.] // Electrochimica Acta. – 2011. – Vol. 56. – P. 4031–4036.
Аннотация: Electrochemical deposition of ZnO from aqueous nitrate solutions on nickel and platinum electrodes was investigated using the voltammetry technique to determine the optimal regimes in both potentiostatic and galvanostatic modes for acquiring polycrystalline ZnO films. Scanning electron microscopy, X-ray diffractometry, and X-ray microanalysis of the formed ZnO films are presented, showing a polycrystalline structure of the ZnO films with a preferable orientation in the (0002) direction and an exact stoichiometric composition. The deposited ZnO films demonstrate a strong visible yellow-greenish photoluminescence at room temperature with a maximum at 600nm that can be referred to crystal lattice oxygen defects. The maximum of the photoluminescence excitation spectrum at 370nm corresponds to the band gap of ZnO (3.3–3.35 eV) confirming that band-to-band excitation mechanism takes place.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31667
DOI: 10.1016/j.electacta.2011.02.008
Располагается в коллекциях:Публикации в зарубежных изданиях

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Chubenko_Electrochemical2.pdf1.24 MBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.