Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31755
Title: Моделирование функциональных неисправностей оперативных запоминающих устройств
Other Titles: Random access memories faults simulation
Authors: Иванюк, А. А.
Степанов, А. В.
Keywords: доклады БГУИР;бит-ориентированное ОЗУ;функциональные неисправности;маршевые тесты;моделирование;VHDL
Issue Date: 2009
Publisher: БГУИР
Citation: Иванюк, А. А. Моделирование функциональных неисправностей оперативных запоминающих устройств / А. А. Иванюк, А. В. Степанов // Доклады БГУИР. - 2009. - № 7 (45). - С. 73 - 80.
Abstract: Создана детализированная VHDL-модель статического бит-ориентированного оперативного запоминающего устройства (ОЗУ) с целью проверки гипотезы об адекватности внедрения моделей неисправностей проводящих линий для отображения доминирующих типов физических дефектов ОЗУ. Спроектированная VHDL-модель позволяет исследовать природу неисправностей ОЗУ, оценить поведение цифрового устройства при наличии в нем дефектов, а также может быть применена для верификации существующих и при разработке новых алгоритмов тестирования ОЗУ.
Alternative abstract: A new method of random access memory functional faults simulation using VHDL language is described. Detailed VHDL-model of bit-oriented static RAM is proposed. It helps to discover the nature of faults, to verify the system’s behavior in a case of the faults and as result – helps to design more reliable devices.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31755
Appears in Collections:№7 (45)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Ivaniuk_Random.PDF700 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.