Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31765
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКовальчук, Н. С.-
dc.date.accessioned2018-06-04T11:22:09Z-
dc.date.available2018-06-04T11:22:09Z-
dc.date.issued2008-
dc.identifier.citationКовальчук, Н. С. Пленки нитрида кремния с низкими механическими напряжениями для микроэлектромеханических систем = Silicon nitride films with low mechanical stresses for microelectromechanical systems applications / Н. С. Ковальчук // Доклады БГУИР. – 2008. – № 4 (34). – С. 60–65.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31765-
dc.description.abstractРассмотрены особенности технологии, позволяющей получать пленки нитрида кремния, имеющие низкие значения остаточных механических напряжений (170–200 МПа) с целью их применения в качестве мембран микроэлектромеханических систем. Получены экспериментальные зависимости остаточных механических напряжений пленок нитрида кремния от их толщины и соотношения используемых в процессе осаждения газов – дихлорсилана и аммиака.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectмикроэлектромеханические системыru_RU
dc.subjectмеханические напряженияru_RU
dc.subjectдиэлектрические пленки нитрида кремнияru_RU
dc.subjectдихлорсиланru_RU
dc.subjectаммиакru_RU
dc.titleПленки нитрида кремния с низкими механическими напряжениями для микроэлектромеханических системru_RU
dc.title.alternativeSilicon nitride films with low mechanical stresses for microelectromechanical systems applicationsru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
local.description.annotationThe particularities of silicon nitride thin films technology are described in the paper. The target of the research is obtaining silicon nitride thin films with low level of mechanical stresses (170–200 MPa) in order to use them as membranes in microelectromechanical systems (MEMS). The experimental dependences of residual stresses in silicon nitride thin films on their thickness and ratio of the used active gases (diclorsilane and ammonia) have been presented.-
Appears in Collections:№4 (34)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Kovalchuk_Silicon.PDF300.07 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.