Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31765
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКовальчук, Н. С.-
dc.date.accessioned2018-06-04T11:22:09Z-
dc.date.available2018-06-04T11:22:09Z-
dc.date.issued2008-
dc.identifier.citationКовальчук, Н. С. Пленки нитрида кремния с низкими механическими напряжениями для микроэлектромеханических систем / Н. С. Ковальчук // Доклады БГУИР. - 2008. - № 4 (34). - С. 60 - 65.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31765-
dc.description.abstractРассмотрены особенности технологии, позволяющей получать пленки нитрида кремния, имеющие низкие значения остаточных механических напряжений (170–200 МПа) с целью их применения в качестве мембран микроэлектромеханических систем. Получены экспериментальные зависимости остаточных механических напряжений пленок нитрида кремния от их толщины и соотношения используемых в процессе осаждения газов — дихлорсилана и аммиака.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectмикроэлектромеханические системыru_RU
dc.subjectмеханические напряженияru_RU
dc.subjectдиэлектрические пленки нитрида кремнияru_RU
dc.subjectдихлорсиланru_RU
dc.subjectаммиакru_RU
dc.titleПленки нитрида кремния с низкими механическими напряжениями для микроэлектромеханических системru_RU
dc.title.alternativeSilicon nitride films with low mechanical stresses for microelectromechanical systems applicationsru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:№4 (34)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Kovalchuk_Silicon.PDF300.07 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.