| Title: | Пленки нитрида кремния с низкими механическими напряжениями для микроэлектромеханических систем |
| Other Titles: | Silicon nitride films with low mechanical stresses for microelectromechanical systems applications |
| Authors: | Ковальчук, Н. С. |
| Keywords: | доклады БГУИР;микроэлектромеханические системы;механические напряжения;диэлектрические пленки нитрида кремния;дихлорсилан;аммиак |
| Issue Date: | 2008 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Ковальчук, Н. С. Пленки нитрида кремния с низкими механическими напряжениями для микроэлектромеханических систем = Silicon nitride films with low mechanical stresses for microelectromechanical systems applications / Н. С. Ковальчук // Доклады БГУИР. – 2008. – № 4 (34). – С. 60–65. |
| Abstract: | Рассмотрены особенности технологии, позволяющей получать пленки нитрида кремния, имеющие низкие значения остаточных механических напряжений (170–200 МПа) с целью их применения в качестве мембран микроэлектромеханических систем. Получены экспериментальные зависимости остаточных механических напряжений пленок нитрида кремния от их толщины и соотношения используемых в процессе осаждения газов – дихлорсилана и аммиака. |
| Alternative abstract: | The particularities of silicon nitride thin films technology are described in the paper.
The target of the research is obtaining silicon nitride thin films with low level of mechanical stresses
(170–200 MPa) in order to use them as membranes in microelectromechanical systems (MEMS). The
experimental dependences of residual stresses in silicon nitride thin films on their thickness and ratio
of the used active gases (diclorsilane and ammonia) have been presented. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31765 |
| Appears in Collections: | №4 (34)
|
