Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31812
Title: Свойства пленок ZnO и ZnO:AI, перспективных для прозрачных электродов
Other Titles: Properties of ZnO and ZnO:Al films as transparent conductive electrodes
Authors: Хохлов, Е. А.
Войнилович, А. Г.
Смирнов, А. Г.
Keywords: доклады БГУИР;прозрачные проводящие покрытия;окись цинка;отжиг;край поглощения
Issue Date: 2008
Publisher: БГУИР
Citation: Хохлов, Е. А. Свойства пленок ZnO и ZnO:AI, перспективных для прозрачных электродов = Properties of ZnO and ZnO:Al films as transparent conductive electrodes / Е. А. Хохлов, А. Г. Войнилович, А. Г. Смирнов // Доклады БГУИР. – 2008. – № 5 (35). – С. 71–76.
Abstract: В работе были получены пленки ZnO, ZnO:Al на кварцевых подложках методом ионно­-лучевого распыления. Проведены исследования их оптических свойств. Пленки ZnO и ZnO, легированные AI показали оптическую однородность и прозрачность в видимом диапазоне спектра. Для легированных образцов наблюдается коротковолновый сдвиг края поглощения, который может объясняться эффектом Бурштейна-Мосса. Обсуждается корреляция электропроводности и положения края поглощения.
Alternative abstract: ZnO and ZnO doped by A1 were obtained on quartz substrates by ion beam sputtering. The investigations of its optical properties were carried out. Films of ZnO and ZnO doped by A1 showed optical homogeneity and transparency in visible range of spectra. The shift o f absorption edge to a shorter wavelength range is observed for A1 doped samples. It could be explained by effect of Burstein-Moss. The correlation of electrical conductivity and absorption edge position is discussed.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31812
Appears in Collections:№5 (35)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Khokhlov_Svoystva.PDF225.89 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.