https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32072| Title: | Моделирование выходных характеристик полевых транзисторов с использованием монослоя графена |
| Authors: | Муравьев, В. В. Мищенко, В. Н. |
| Keywords: | материалы конференций;полевые транзисторы;монослой графена |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Муравьёв, В. В. Моделирование выходных характеристик полевых транзисторов с использованием монослоя графена / В. В. Муравьёв, В. Н. Мищенко // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVI Белорусско-российской научно – технической конференции, Минск, 5 июня 2018 г. – Минск: БГУИР, 2017. – С. 68. |
| Abstract: | Рассмотрены вопросы моделирования выходных характеристик полевых транзисторов с использованием монослоя графена. Исследованы закономерности физического процесса переноса носителей заряда в слое графена, а также в объемной области полупроводниковой структуры, для создания которой используются соединения группы карбида кремния, и в частности, материал 4Н-SiC. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32072 |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2018 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Muravyev_Modelirovaniye.pdf | 270.06 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.