Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33212
Title: Сравнение воздействия гамма (Co60) и электронного (E=4–25 МэВ) облучения в радиационной технологии кремниевых диодных структур
Other Titles: Comparison of influence of gamma (Co60) and electron (E=4–25 MeV) irradiation in silicon diode structures radiation processing
Authors: Коршунов, Ф. П.
Марченко, И. Г.
Кульгачев, В. И.
Жданович, Н. Е.
Гурин, П. М.
Keywords: доклады БГУИР
время жизни неосновных носителей заряда
кремниевые диодные структуры
облучение
радиационная технология
радиационные дефекты
Issue Date: 2010
Publisher: БГУИР
Citation: Сравнение воздействия гамма (Co60) и электронного (E=4–25 МэВ) облучения в радиационной технологии кремниевых диодных структур / Ф. П. Коршунов и др. // Доклады БГУИР. - 2010. - № 3 (49). - С. 12 - 16.
Abstract: Приведены результаты сравнения воздействия гамма (Сo60) и электронного (Е=4–25 МэВ) облучения и отжига в интервале температур 20–300°C на соотношения статических и динамических характеристик силовых приборных структур. Установлено, что для достижения наилучшего соотношения прямого падения напряжения и быстродействия силовых приборных структур целесообразно использовать высокоэнергетические электроны (10–20 МэВ) в том случае, если радиационная обработка проводится на финишном этапе изготовления приборов. Если же после радиационной обработки предполагается проведение технологиеских операций при температуре порядка 300°С (а именно: посадка в корпуса и на термо- компенсатор), то в этом случае различия в использовании гамма- или электронного облучения не наблюдается. Показано, что наблюдаемое снижение прямого падения напряжения при одинаковых значениях быстродействия в диапазоне энергий 10–20 МэВ в сравнении с облучением гамма-квантами и электронами с энергией <10 МэВ обусловлено повышенной концентрацией дивакансий.The results of comparison of influence of gamma (Сo60) and electron (Е=4–25 MeV) irradiation and annealing in temperature range of 20-300°С on power devices static and dynamic characteristics trade-off are shown in this work. It is established that better power devices forward voltage drop and operation speed trade-off are achieved with irradiation of high energy electrons (Е=10–20 MeV), in the case when radiation treatment should be performed on finished devices. If radiation treatment precedes technological operation at temperatures about 300°С (encasing), there are no differences between gamma and electron irradiation. It is shown that observed forward voltage decreasing at equal operation speed in energy range 10–25 MeV in comparison with gamma and electron <10 MeV irradiation are due to higher divacancy concentrations.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33212
Appears in Collections:№3 (49)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Korshunov_Comparison.PDF374.67 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.