Сравнение воздействия гамма (Co60) и электронного (E=4–25 МэВ) облучения в радиационной технологии кремниевых диодных структур

Abstract

Приведены результаты сравнения воздействия гамма (Сo60) и электронного (Е=4–25 МэВ) облучения и отжига в интервале температур 20–300°C на соотношения статических и динамических характеристик силовых приборных структур. Установлено, что для достижения наилучшего соотношения прямого падения напряжения и быстродействия силовых приборных структур целесообразно использовать высокоэнергетические электроны (10–20 МэВ) в том случае, если радиационная обработка проводится на финишном этапе изготовления приборов. Если же после радиационной обработки предполагается проведение технологиеских операций при температуре порядка 300°С (а именно: посадка в корпуса и на термо- компенсатор), то в этом случае различия в использовании гамма- или электронного облучения не наблюдается. Показано, что наблюдаемое снижение прямого падения напряжения при одинаковых значениях быстродействия в диапазоне энергий 10–20 МэВ в сравнении с облучением гамма-квантами и электронами с энергией <10 МэВ обусловлено повышенной концентрацией дивакансий.