https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33234| Title: | Формирование структур PbZr0,54Ti0,46O3 в треках быстрых тяжелых ионов | 
| Other Titles: | Formation of PbZr0,54Ti0,46O3 structures in swift heavy ion tracks | 
| Authors: | Петров, А. В. Гурский, Л. И. Каланда, Н. А. Телеш, Е. В. Минин, К. А. | 
| Keywords: | доклады БГУИР;треки быстрых тяжелых ионов;нанопоры;диоксид кремния;цирконат-титанат свинца;нанокластеры;диэлектрическая фаза | 
| Issue Date: | 2010 | 
| Publisher: | БГУИР | 
| Citation: | Формирование структур PbZr0,54Ti0,46O3 в треках быстрых тяжелых ионов = Formation of PbZr0,54Ti0,46O3 structures in swift heavy ion tracks / А. В. Петров [и др.] // Доклады БГУИР. – 2010. – № 3 (49). – С. 62–67. | 
| Abstract: | Рассматриваются особенности создания нанокластеров PbZr0,54Ti0,46O3 в протравленных треках быстрых тяжелых ионов, сформированных в тонких слоях SiO2 на подложках монокристаллического кремния ориентации (100). Данная методика включает химическое осаждение металлов Pb, Zr и Ti в ионные треки, полученные облучением структуры Si/SiO2 ионами 197Au26+ с энергией 350 МэВ и флюенсом 5Ч108 см–2 с последующим отжигом при температуре Тотж=550єC и давлении кислорода pO2=2Ч105 Па. Параметры отжига структуры Si/SiO2 (PbZr0,54Ti0,46O3) были определены благодаря оптимизации процесса термообработки пленочных структур идентичного состава, напыленных ионно-лучевым методом на подложки Si/SiO2. Структурные особенности формирования нанокластеров PbZr0,54Ti0,46O3 выявлены с помощью рентгеновской фотоэмиссионной спектроскопии. | 
| Alternative abstract: | A methodology of formation of PbZr0,54Ti0,46O3 nanoclusters in etched swift heavy ion tracks formed in SiO2 thin layers on single-crystalline (100) silicon substrates is developed in the present work. This methodology includes chemical deposition of Pb, Zr and Ti metals in the ion tracks obtained by irradiation of Si/SiO2 structure by ионами 197Au26+ ions with energy 350 MeV and fluence 5Ч108 cm–2 and their subsequent annealing at T=550єС and oxygen pressure pO2=2Ч105 Pа. Annealing parameters of the Si/SiO2 (PbZr0,54Ti0,46O3) structure were determined due to optimization of thermal treatment of thin-film structures having an identical composition, which have been sputtered on Si/SiO2 substrates. Characteristic features of PbZr0,54Ti0,46O3 nanocluster structure formation process are revealed by means of the X-ray photoemission spectroscopy. | 
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33234 | 
| Appears in Collections: | №3 (49) | 
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Petrov_Formation.PDF | 432.34 kB | Adobe PDF | View/Open | 
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.