Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34178
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorОкоджи, Д. Э.-
dc.date.accessioned2019-01-14T11:57:05Z-
dc.date.available2019-01-14T11:57:05Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.citationОкоджи, Д. Э. Ионно-плазменное формирование конденсаторных структур на основе танталата стронция-висмута для элементов сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти : автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Д. Э. Окоджи ; науч. рук. Д. А. Голосов. - Минск : БГУИР, 2018. - 24 с.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34178-
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectавторефераты диссертацийru_RU
dc.subjectсегнетоэлектрикиru_RU
dc.subjectтанталат стронция-висмутаru_RU
dc.subjectВЧ магнетронное распылениеru_RU
dc.titleИонно-плазменное формирование конденсаторных структур на основе танталата стронция-висмута для элементов сегнетоэлектрической энергонезависимой памятиru_RU
dc.typeАвторефератru_RU
Appears in Collections:05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
avtoreferat_Okodzhi.pdf1.75 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.