Влияние отжига на структуру и диэлектрические свойства пленок оксида гафния

Abstract

Проведены исследования влияния температуры отжига на структуру и диэлектрические характеристики пленок оксида гафния, нанесенных методом реактивного магнетронного распыления Hf мишени в Ar/O2 смеси газов. Установлено, что после нанесения пленки имели аморфную структуру. При отжиге аморфные пленки оксида гафния первоначально кристаллизовались в моноклинной кристаллической решетке. При этом отмечалось снижение диэлектрической проницаемости пленок с 23 до 14 единиц. При увеличении температуры отжига более 500 °С формировалась смешанная моноклинная – тетрагональная структура. При этом диэлектрическая проницаемость увеличивалась до 24 единиц и токи утечки снижались до 10-8 А при напряжении смещения 20 В.