Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34330
Title: Сегнетоэлектрические свойства пленок танталата стронция-висмута, нанесенных методом ВЧ магнетронного распыления
Authors: Голосов, Д. А.
Мельников, С. Н.
Завадский, С. М.
Колос, В. В.
Поплевка, Е. А.
Окоджи, Д. Э.
Жукович, Ю. А.
Keywords: публикации ученых;энергонезависимая память FeRAM;сегнетоэлектрики;танталат стронция-висмута;SBT;ВЧ магнетронное распыление
Issue Date: 2018
Publisher: Гомельский государственный университет
Citation: Сегнетоэлектрические свойства пленок танталата стронция-висмута, нанесенных методом ВЧ магнетронного распыления / Д. А. Голосов [и др.] // Проблемы физики, математики и техники. – 2018. – Том. 34, № 1. – С. 33 – 37.
Abstract: Исследованы характеристики сегнетоэлектрических тонких пленок танталата стронция-висмута (SBT), нанесенных методом ВЧ магнетронного распыления на Pt/TiOx/SiO2/Si подложки. Установлены зависимости диэлектрической проницаемости, остаточной поляризации и коэрцитивной силы пленок SBT от режимов последующего отжига. При температуреотжига 800° C получены пленки с остаточной поляризацией 2Pr = 3,02 мкКл/см2, коэрцитивной силой 2Ec = 140 кВ/см.Диэлектрическая проницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь на частоте 1,0 МГц составляли соответственно ε = 125 и tgδ = 0,067. Температура Кюри пленок достигала 310–315° С.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34330
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Okodzhi_Segnetoelektricheskiye.PDF1.31 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.