Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34356
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСолодуха ., В. А.-
dc.contributor.authorШведов, С. В.-
dc.contributor.authorПетлицкий, А. Н.-
dc.contributor.authorПетлицкая, Т. В.-
dc.contributor.authorЧигирь, Г. Г.-
dc.contributor.authorПилипенко, В. А.-
dc.contributor.authorФилипеня, В. А.-
dc.contributor.authorЖигулин, Д. В.-
dc.contributor.authorУситименко, Д. С.-
dc.date.accessioned2019-02-01T07:08:20Z-
dc.date.available2019-02-01T07:08:20Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.citationАнализ дефектов интегральных схем с использованием растро-вого электронного микроскопа в режиме наведенного тока / В. А. Солодуха [и др.] // Современные информационные и электронные технологии (СИ-ЭТ-2018): сборник трудов 19-ой Международной научно-практической конференции, Одесса, 28 мая – 01 июня 2018 г. - Одесса, 2018. - С. 48 - 49.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34356-
dc.description.abstractВ работе представлены результаты анализа скрытых дефектов интегральной микросхемы с использованием растрового электронного микроскопа в режиме наведенного тока. Не осуществляя послойного стравливания топологических слоев, удалось зафиксировать точное месторас-положения пробоя конденсаторного диэлектрика.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherИздательский центр «Политехпериодика» г. Одесса, Украинаru_RU
dc.subjectпубликации ученыхru_RU
dc.subjectдефект микросхемыru_RU
dc.subjectрастровый электронный микроскопru_RU
dc.subjectрежим наведенного токаru_RU
dc.titleАнализ дефектов интегральных схем с использованием растро-вого электронного микроскопа в режиме наведенного токаru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Solodukha_Analiz.pdf815.36 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.