| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Солодуха ., В. А. | - |
| dc.contributor.author | Шведов, С. В. | - |
| dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | - |
| dc.contributor.author | Петлицкая, Т. В. | - |
| dc.contributor.author | Чигирь, Г. Г. | - |
| dc.contributor.author | Пилипенко, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Филипеня, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Жигулин, Д. В. | - |
| dc.contributor.author | Уситименко, Д. С. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-02-01T07:08:20Z | - |
| dc.date.available | 2019-02-01T07:08:20Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | - |
| dc.identifier.citation | Анализ дефектов интегральных схем с использованием растро-вого электронного микроскопа в режиме наведенного тока / В. А. Солодуха [и др.] // Современные информационные и электронные технологии (СИ-ЭТ-2018): сборник трудов 19-ой Международной научно-практической конференции, Одесса, 28 мая – 01 июня 2018 г. - Одесса, 2018. - С. 48 - 49. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34356 | - |
| dc.description.abstract | В работе представлены результаты анализа скрытых дефектов интегральной микросхемы с использованием растрового электронного микроскопа в режиме наведенного тока. Не осуществляя послойного стравливания топологических слоев, удалось зафиксировать точное месторасположения пробоя конденсаторного диэлектрика. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Издательский центр «Политехпериодика» г. Одесса | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | дефект микросхемы | ru_RU |
| dc.subject | растровый электронный микроскоп | ru_RU |
| dc.subject | режим наведенного тока | ru_RU |
| dc.title | Анализ дефектов интегральных схем с использованием растро-вого электронного микроскопа в режиме наведенного тока | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
