Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34882
Title: Силовые IGBT модули и особенности применения в импульсных источниках электропитания
Other Titles: Power IGBT modules and features of application in pulse sources of power supplies
Authors: Годун, Д. В.
Достанко, А. П.
Keywords: доклады БГУИР;IGBT;импульсные источники электропитания;преобразователи
Issue Date: 2008
Publisher: БГУИР
Citation: Годун, Д. В. Силовые IGBT модули и особенности применения в импульсных источниках электропитания / Д. В. Годун, А. П. Достанко // Доклады БГУИР. - 2008. - № 6 (36). - С. 127 - 130.
Abstract: Дано общее представление о структуре IGBT транзистора, его частотных свойствах, рассмотрен процесс включения силового модуля, рассмотрены особенности параллельного включения транзисторов, двухтактных мостовых и полумостовых схем преобразователей.
Alternative abstract: The general representation about structure IGBT of the transistor and its frequency properties is given. Process of inclusion of the power module, feature of management by transistors in duple bridge schemes of converters is considered.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34882
Appears in Collections:№6 (36)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Hadun_Power.PDF397.43 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.