| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Бересневич, А. И. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-07-02T06:51:23Z | - |
| dc.date.available | 2019-07-02T06:51:23Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Бересневич, А. И. Методика прогнозирования параметрической надежности транзисторов / А. И. Бересневич // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVII Белорусско-российской научно – технической конференции, Минск, 11 июня 2019 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники; редкол. : Т. В. Борботько [и др.]. – Минск, 2019. – С. 16. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35566 | - |
| dc.description.abstract | Одним из подходов к оценке параметрической надежности изделий электронной
техники (ИЭТ) является использование метода имитационных воздействий [1]. Метод
позволяет по реакции функционального параметра ИЭТ (конкретного экземпляра)
на имитационное воздействие в начальный момент времени спрогнозировать значение этого
параметра на заданный будущий момент времени и сделать заключение о параметрической
надежности экземпляра. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | изделия электронной техники | ru_RU |
| dc.subject | имитационное воздействие | ru_RU |
| dc.title | Методика прогнозирования параметрической надежности транзисторов | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2019
|
