Please use this identifier to cite or link to this item:
https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35566
| Title: | Методика прогнозирования параметрической надежности транзисторов |
| Authors: | Бересневич, А. И. |
| Keywords: | материалы конференций;изделия электронной техники;имитационное воздействие |
| Issue Date: | 2019 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Бересневич, А. И. Методика прогнозирования параметрической надежности транзисторов / А. И. Бересневич // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVII Белорусско-российской научно–технической конференции, Минск, 11 июня 2019 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Т. В. Борботько [и др.]. – Минск, 2019. – С. 16. |
| Abstract: | Одним из подходов к оценке параметрической надежности изделий электронной
техники (ИЭТ) является использование метода имитационных воздействий [1]. Метод позволяет по реакции функционального параметра ИЭТ (конкретного экземпляра) на имитационное воздействие в начальный момент времени спрогнозировать значение этого параметра на заданный будущий момент времени и сделать заключение о параметрической надежности экземпляра. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35566 |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2019
|
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
