Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35566
Название: Методика прогнозирования параметрической надежности транзисторов
Авторы: Бересневич, А. И.
Ключевые слова: материалы конференций;изделия электронной техники;имитационное воздействие
Дата публикации: 2019
Издательство: БГУИР
Описание: Бересневич, А. И. Методика прогнозирования параметрической надежности транзисторов / А. И. Бересневич // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVII Белорусско-российской научно – технической конференции, Минск, 11 июня 2019 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники; редкол. : Т. В. Борботько [и др.]. – Минск, 2019. – С. 16.
Аннотация: Одним из подходов к оценке параметрической надежности изделий электронной техники (ИЭТ) является использование метода имитационных воздействий [1]. Метод позволяет по реакции функционального параметра ИЭТ (конкретного экземпляра) на имитационное воздействие в начальный момент времени спрогнозировать значение этого параметра на заданный будущий момент времени и сделать заключение о параметрической надежности экземпляра.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35566
Располагается в коллекциях:ТСЗИ 2019

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Beresnevich_Metodika.pdf130.23 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.