https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35570| Title: | Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур |
| Authors: | Чан Бинь Тхан |
| Keywords: | материалы конференций;поверхностно барьерные структуры;монокристаллы |
| Issue Date: | 2019 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Чан Бинь Тхан. Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур / Чан Бинь Тхан // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVII Белорусско-российской научно – технической конференции, Минск, 11 июня 2019 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники; редкол. : Т. В. Борботько [и др.]. – Минск, 2019. – С. 76. |
| Abstract: | В работе представлены результаты исследования поверхностно барьерных структур на основе монокристаллов In/ (MnIn2S4)0,5 *(AgIn5S8)0,5. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35570 |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2019 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Chan_Fotoelektricheskiye.pdf | 205.91 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.