Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35642
Title: Спинтронные элементы резистивной памяти
Authors: Ремизевич, М. В.
Данилюк, А. Л.
Keywords: материалы конференций;устройства резистивной памяти;магнитная память
Issue Date: 2019
Publisher: БГУИР
Citation: Ремизевич, М. В. Спинтронные элементы резистивной памяти / М. В. Ремизевич, А. Л. Данилюк // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVII Белорусско-российской научно – технической конференции, Минск, 11 июня 2019 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники; редкол. : Т. В. Борботько [и др.]. – Минск, 2019. – С. 60.
Abstract: В настоящее время устройства резистивной памяти с произвольной выборкой (RRAM) активно разрабатываются. В перспективе они могут заменить магнитную память (MRAM).
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35642
Appears in Collections:ТСЗИ 2019

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Remizevich_Spintronnyye.pdf114.4 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.