| Title: | Методы создания Al-Al2O3-оснований с толстослойной медной металлизацией для микрополосковых СВЧ-элементов |
| Authors: | Шиманович, Д. Л. |
| Keywords: | материалы конференций;Al-Al2O3- основания;СВЧ-диапазон |
| Issue Date: | 2019 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Шиманович, Д. Л. Методы создания Al-Al2O3-оснований с толстослойной медной металлизацией для микрополосковых СВЧ-элементов / Д. Л. Шиманович // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVII Белорусско-российской научно – технической конференции, Минск, 11 июня 2019 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники; редкол. : Т. В. Борботько [и др.]. – Минск, 2019. – С. 77 – 78. |
| Abstract: | Использование механически прочных Al-оснований с диэлектрическим слоем Al2O3,
полученным в результате электрохимического процесса одностороннего анодирования,
является весьма перспективным, если учесть тот фактор, что вторая неокисленная сторона
таких оснований служит сплошным металлизированным экраном. Толщина диэлектрического
слоя и его структурно-морфологические параметры, которые влияют на величину затухания
СВЧ-сигналов, могут контролироваться электрохимическими режимами анодирования [1]. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35653 |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2019
|
