Особенности реакции и отказы в полупроводниковых структурах, вызываемые действием электромагнитного импульса

Abstract

Показано, что электронные средства в процессе эксплуатации подвергаются воздействию внешних дестабилизирующих факторов, среди которых наиболее опасными являются электромагнитные помехи. Отмечено, что исследования эффектов воздействия электромагнитных импульсов на полупроводниковые структуры указывают на сложный характер взаимодействия, не поддающегося однозначному описанию. Поскольку мощный ЭМИ несет в себе достаточно большое количество энергии, то, очевидно, что его воздействие вызывает в ПС определенные изменения. Эти изменения могут включать в себя самый широкий спектр эффектов, включая явные и скрытые пробои p-n-переходов, выгорание отдельных участков полупроводника, обрыв металлизации, пробой тонких слоев диэлектриков и т.д. It is shown that electronic devices in the process of operation are exposed to external destabilizing factors, among which the most dangerous are electromagnetic interference. It is noted that studies of the effects of the action of electromagnetic pulses on semiconductor structures indicate a complex nature of the interaction that does not lend itself to an unambiguous description. Since a powerful EMP carries a fairly large amount of energy, it is obvious that its effect causes certain changes in the PS. These changes can include the widest range of effects, including explicit and latent breakdowns of pn junctions, burnout of individual sections of a semiconductor, breakdown of metallization, breakdown of thin layers of dielectrics, etc.