| Title: | Синтез топологически изолированных нанопроводов Bi2Se3 методом осаждения из газовой фазы |
| Authors: | Нигериш, К. А. |
| Keywords: | материалы конференций;топологические изоляторы;квантовые материалы |
| Issue Date: | 2019 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Нигериш, К. А. Синтез топологически изолированных нанопроводов Bi2Se3 методом осаждения из газовой фазы / К. А. Нигериш // Радиотехника и электроника: 55-я юбилейная научная конференция аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 22-26 апреля 2019 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2019. – С. 191 – 192. |
| Abstract: | Топологические изоляторы являются примером нового класса квантовых материалов, который находится на пороге поиска
приложений в электронных устройствах. Особый интерес представляет Bi2Se3, поскольку его можно выращивать в виде
длинных (несколько десятков микрометров) нанопроводов, которые удобно интегрировать в электронные устройства. Такие
нанопровода являются трехмерными топологическими изоляторами с исчезающей объемной проводимостью, а также могут
быть электрически соединены и дополнительно структурированы для локального создания запрещенной зоны. Bi2Se3 также
имеет очень большую запрещенную зону, это означает, что топологическая фаза может быть видна при комнатной
температуре. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36270 |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 55-й юбилейной научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2019)
|
