Please use this identifier to cite or link to this item:
https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36738
| Title: | Элементы резистивной памяти на основе наноструктур с оксидами переходных металлов |
| Authors: | Ремизевич, М. В. |
| Keywords: | авторефераты диссертаций;оксида гафния;обратимый электрический пробой |
| Issue Date: | 2019 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Ремизевич, М. В. Элементы резистивной памяти на основе наноструктур с оксидами переходных металлов : автореф. дисс. ... магистра технических наук : 1- 41 80 03 / М. В. Ремизевич; науч. рук. А. Л. Данилюк. - Минск : БГУИР, 2019. – 7 с. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36738 |
| Appears in Collections: | 1-41 80 03 Нанотехнологии и наноматериалы (в электронике)
|
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
