| Title: | Тепловые поля в кремниевых подложках при лазерной прошивке отверстий |
| Authors: | Чан, Н. Д. |
| Keywords: | материалы конференций;лазерная прошивка;кремниевая подложка;лазерное излучение;Through Silicon Vias;сквозное отверстие в кремнии |
| Issue Date: | 2019 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Чан, Н. Д. Тепловые поля в кремниевых подложках при лазерной прошивке отверстий / Н. Д. Чан // Электронные системы и технологии : сборник тезисов докладов 55-й юбилейной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 22-26 апреля 2019 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2019. – С. 394–395. |
| Abstract: | При моделировании тепловых полей в кремниевых подложках установлено, что уменьшение радиуса лазерного излучения ведет к росту температуры нагрева в зоне обработки ввиду большей концентрации источника тепла. Время нагрева для прошивки отверстия должно находиться в пределах 4–5 c при радиусе лазерного пучка 1 мм, и в пределах 70 c при радиусе 2 мм. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/37194 |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
