Особенности электрохимического формирования нанопроводов InSb в пористых матрицах с большим аспектным отношением

Лозовенко, А. А.; Позняк, А. А.; Горох, Г. Г.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/38128

Title:	Особенности электрохимического формирования нанопроводов InSb в пористых матрицах с большим аспектным отношением
Authors:	Лозовенко, А. А. Позняк, А. А. Горох, Г. Г.
Keywords:	публикации ученых;антимонид индия;нанопровода;электрохимическое осаждение;кинетика роста нанопроводов
Issue Date:	2019
Publisher:	Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Citation:	Лозовенко, А. А. Особенности электрохимического формирования нанопроводов InSb в пористых матрицах с большим аспектным отношением / А. А. Лозовенко, А. А. Позняк, Г. Г. Горох // Мокеровские чтения : сборник трудов 10-й Юбилейной Международной научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, Москва, 15–16 мая 2019 г. / Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ». – Москва, 2019. – С. 105–106.
Abstract:	Проведено исследование влияния электрохимических условий осаждения антимонида индия на степень заполнения пористых матриц на микроструктуру нанопроводов.
URI:	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/38128
Appears in Collections:	Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Lozovenko_Osobennosti.pdf		547.33 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar